型号 | SPB20N60C3 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK |
SPB20N60C3 PDF | |
代理商 | SPB20N60C3 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 1,000 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 13.1A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3.9V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 114nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
功率 - 最大 | 208W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP000013520 SPB20N60C3INTR SPB20N60C3XT SPB20N60C3XT-ND |